韩国指控10人涉嫌向中国CXMT泄露芯片技术

韩国检方已对 10 人提起诉讼，指控他们涉嫌向中国芯片制造商长信存储技术有限公司（CXMT）泄露存储芯片制造技术。当局称，此案为中国开发高带宽内存（HBM）铺平了道路，而高带宽内存是人工智能计算的关键组件。

首尔中央地方检察厅周二表示，包括一名三星电子前高管和几名工程师在内的五人因违反韩国工业技术保护法而被起诉并拘留，另有五人被起诉但获准保释。

检方称，一名即将离职加入CXMT的前三星电子研究员，手工抄录了数百个专有DRAM制造工艺步骤，详细记录了包括设备规格、工序顺序和良率优化在内的工艺流程。检方表示，这些手写笔记后来被用于重建CXMT的生产流程。 

调查还发现，CXMT 通过供应商从 SK 海力士获得了额外的 DRAM 技术，进一步加快了其发展。

三星电子、SK海力士和CXMT均拒绝置评。 

周二的声明没有指明涉事公司的名称，但检察官随后分别向路透社确认了这些公司的名称。

检察官表示，泄露的技术涉及三星花费 1.6 万亿韩元研发的 10 纳米 DRAM 工艺，并补充说，三星是当时唯一一家将该技术商业化的公司。

检方表示，CXMT随后对窃取的数据进行了调整和验证，使其适用于自己的设备，从而在2023年实现了10纳米DRAM的生产，这是中国企业首次取得这一成就。 

检察官表示，非法使用该技术为CXMT开发HBM奠定了基础，并补充说，三星电子等公司的损失估计至少达数十万亿韩元。

CXMT计划在上海上市，估值达420亿美元。上个月，该公司推出了最新一代DRAM（DDR5），直接向其韩国竞争对手发起挑战。