台湾政府加强“硅盾”，限制台积电最先进工艺技术出口

据《经济日报》报道，台湾计划加强对先进工艺技术出口和半导体对外投资的控制。新的法律措施将执行“N-1”技术限制，基本上禁止台积电出口其最新的生产节点，并对违规行为进行处罚——但台积电有一个重大问题。

台积电总理赵正泰确认的“N-1”政策将适用于台积电在美国的计划生产。这种方法限制了最先进的工艺技术的出口，只允许将一代较旧的技术部署到国外。

在此修正案之前，台湾法规并未明确要求对半导体制造过程进行此类控制。这些规则基于修订后的《工业创新法》第 22 条，预计将于 2025 年底生效。

不过，TSMC 最先进的工艺技术有一个重大问题。如今，台积电拥有一个领先的节点：N3P 制造技术。但到今年年底，它将开始采用其 N2 制造工艺生产芯片，该工艺将成为其旗舰产品。

然而，从 2026 年底开始，台积电预计将有两个旗舰节点：N2P 用于不需要高级电力输送的客户端应用，以及具有 Super Power Rail 背面电力输送的 A16，用于消耗大量电力的 HPC 应用。

哪些工艺技术将被台湾当局视为“旗舰”，从而限制出口，或者当台积电推出 N2P 和 A16 的继任者、其 A14 和 A16P 节点时，政府是否会在一年内禁止这两个节点的出口，还有待观察。

此外，台湾国会三读后通过的修订法赋予台湾当局在发现海外投资危害国家安全、损害国家经济发展、违反条约义务或导致重大劳资争议未解决时，有权拒绝或取消海外投资。

根据新法律，这六项条件被保留，但现在得到了更高级别立法的支持。修订后的第 22 条还包括部分或全部拒绝投资或附加批准条件的可能性。如果公司获得批准但后来触发了这些风险中的任何一个，如果问题严重，中央当局有权要求采取纠正措施或完全撤销投资。新法律将现有的投资限制从子法规提升为正式立法，并增加了不合规的法律后果。

经济事务部表示，该法律的实施日期将在子法规修订后（六个月内）公布。这意味着最早的执行可能在 2025 年底开始。该法规的推出是在地缘政治风险上升之际，以及台积电宣布计划在四年内将其对美国产能的投资从四年内的 650 亿美元增加到 1650 亿美元，具体期间未披露。

该修正案还引入了以前不存在的处罚。未经事先批准进行海外投资的公司可能面临 50,000 新台币至 100 万新台币（30,830 美元）不等的罚款。如果投资获得批准，但公司后来未能纠正已发现的违规行为——例如危害国家安全或损害经济发展——当局可以重复处以 500,000 新台币（15,414 美元）至 1000 万新台币（308,286 美元）的罚款。但鉴于台积电计划在其美国工厂投资 1650 亿美元，300,000 美元的罚款几乎不会影响公司的底线。