三星拚了 传拟扩大HBM产能、牺牲利润抢市

三星电子决心争取高带宽内存（HBM）市占，据传不只平泽五厂准备恢复施工，以便扩大产能，还打算牺牲利润，好打入英伟达（Nvidia）供应链。

综合韩媒BusinessKorea、the Bell、科技媒体wccftech报导，半导体业界人士透露，工人在三星的平泽五厂搬运建材、并接受安全训练，准备最快下个月施工。该厂原订去年启动工程，但因半导体市况欠佳而延后。三星兴建平泽五厂，意在扩大供给HBM。

三星打算先量产HBM3E给英伟达，接着设法取得在新一代内存HBM4的优势。

HBM3E是目前HBM市场的领导者，用于英伟达Blackwell图形处理器（GPU），三星可望在在本月通过英伟达的HBM3E验证。HBM4将用于英伟达下代GPU「Rubin」。三星HBM研发速度，大约落后SK海力士三个月，三星想靠强化产能来快速追赶。

韩媒指出，三星增产抢市之外，还准备发动价格战，给予英伟达的HBM4报价，将让竞争对手难以比拟；三星愿意牺牲利润，只为打入英伟达的供应伙伴名单。

文章称，英伟达预计在明年第1季完成HBM4验证，并敲定HBM4供应商与下单数量。三星为加快供给，拟导入10纳米级1c DRAM制程，据悉这是业界最先进的制程。并有消息说，三星拟用艾司摩尔（ASML）高数值孔径极紫外光（high-NA EUV） 微影设备。

半导体人士指出，内存市场预料在明年逐渐复苏，HBM需求可望续增，外界解读三星预先确保产能，以免错失商机。